ASML 正在销售将芯片带到 1nm 节点的设备

全球排名前两位的代工厂依次是台积电和三星代工。两家公司早在 2019 年就开始将极紫外 (EUV) 光刻技术应用于芯片生产,这为使用 7 纳米以下节点制造芯片奠定了基础。您会看到,光刻机将电路图案蚀刻到硅晶圆上以帮助构建半导体。工艺节点越低,包括晶体管在内的芯片功能集就越小。

更小的晶体管意味着可以在芯片中容纳更多的晶体管;现代芯片组内有数百亿个晶体管(例如,3nm A17 Pro 每个芯片内有 200 亿个晶体管!),这些电路图案必须非常薄。这就是 EUV 光刻机发挥作用的地方。它是由全世界唯一一家公司——荷兰ASML公司——建造的。请记住,芯片的晶体管数量越多,该芯片的功能就越强大和/或节能。

虽然第一代 EUV 帮助代工厂突破了 7 纳米节点,但高数值孔径 EUV 机器将把芯片制造带到 1 纳米及更低的工艺节点。 ASML 表示,数值孔径(即高数值孔径中“NA”的缩写)衡量光学系统收集和聚焦光线的能力。下一代机器上 0.55 的更高 NA 有助于新齿轮比第一代机器表现更好。

据报道,英特尔已保留 11 个高数值孔径 EUV 单元

,台积电计划在2028年采用1.4nm工艺节点的新机,或者在2030年采用1nm节点的新机。明年2nm投产时,台积电将继续使用第一代EUV光刻机。另一方面,英特尔正在寻求使用高数值孔径机器来帮助其赶上台积电和三星代工。后者预计将于 2025 年初获得第一台高数值孔径机器。

“英特尔预计将使用 0.33NA EUV 和 0.55NA EUV 以及其他光刻工艺来开发和制造先进芯片,从 2025 年英特尔 18A [1.8nm] 的产品验证点开始,并继续生产英特尔 14A [1.4nm]。英特尔的方法将优化先进工艺技术的成本和性能。

然而,英特尔仍在应对低收益率、亏损和股价暴跌的问题,这导致该公司的股价从美国股市 30 股道指工业领头羊中被剔除,并被英伟达取代。英特尔的情况非常糟糕,以至于它正在将 3nm 的生产外包给台积电。

作为中国第一大代工厂,仅次于台积电和三星代工厂的全球第三大代工厂,中芯国际由于美国的制裁,连第一代EUV光刻机都不允许购买。相反,ASML 一直在使用更旧的深紫外 (DUV) 光刻机,这使得中芯国际无法生产麒麟芯片

在比 7nm 更先进的节点上。