三星代工厂与台积电一样,计划在美国生产2纳米芯片

台积电计划到 2028 年在其位于亚利桑那州的一家美国工厂生产 2nm 芯片。这对于美国科技公司来说听起来很棒,比如

届时,台积电最尖端的芯片可以采用1.4nm节点在台湾制造。用于构建芯片的工艺节点非常重要,因为通常较低的工艺节点数量会减小芯片内封装的晶体管的尺寸。这意味着芯片的晶体管数量可以更高,芯片的晶体管密度也可以更高,晶体管密度是指适合组件给定区域的晶体管的数量。

通常,芯片中嵌入的晶体管越多,该芯片的功能就越强大,或者能效就越高。台积电将于今年下半年开始量产2nm芯片组。预计苹果将成为首批使用 2nm 应用处理器为 2026 年 iPhone 18 系列智能手机提供支持的公司之一;后者将配备 A20 和 A20 Pro 应用处理器。

台积电不会是美国唯一一家生产 2 纳米 SoC 的代工厂。三星计划在德克萨斯州泰勒建立先进的芯片生产设施。三星不仅斥资数十亿美元帮助建设这座晶圆厂,还获得了美国政府 47.4 亿美元的奖励。三星代工厂希望于 2026 年开始在该工厂生产芯片。来自韩国的一份新报告称,三星代工厂计划在该工厂生产 3 纳米和 2 纳米芯片,该计划要求 Sammy 在 2026 年初引进所有必要的设备,并且在那一年结束之前开始生产。

正如我们多次讨论的那样,三星代工厂在 3 纳米和 2 纳米生产中均采用环栅 (GAA) 晶体管。 GAA 使用垂直放置的水平纳米片,因为栅极完全覆盖所有四个侧面的沟道,从而减少电流泄漏并提高驱动电流。这将为芯片带来更高的性能和更高的能效。台积电在其 3nm 芯片中坚持使用 FinFET 晶体管,并将在 2nm 芯片中使用 GAA。

美国终于有机会成为先进半导体生产的主要参与者。十年后,苹果为其设备获得的许多芯片可能会在位于美国的工厂制造。