为了帮助那些计划购买的人
无论购买哪种型号，模型都可以享受 GalaxyAI 的一致性能，
计划为每款 2025 年旗舰 Galaxy S 机型配备至少 12GB 的 RAM，高于 8GB 的可用内存
旗舰线。这应该会提高以下人员的能力银河S25系列来执行多任务并运行设备上的人工智能功能。
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虽然银河S25系列将继续支持LPDDR5X RAM标准，但这并不意味着RAM芯片不会提供更高的性能和能效。三星没有为其 2025 年旗舰手机配备自己的 LPDDR5X RAM 芯片，而是使用美光的 12GB RAM 芯片。性能和能效提高的原因之一是用于生产 RAM 芯片的工艺节点的轻微改进。美光的芯片将采用 12 纳米工艺节点制造，而三星的 RAM 芯片去年则采用 13 纳米工艺节点制造。
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三星的 RAM 芯片也有过热的倾向，这是这家韩国制造商决定向美国寻求替代的第一个原因。据报道，三星解决了过热问题，但没有及时将自己的 RAM 芯片纳入其中银河S25线，而不必推迟其旗舰系列的发布。对于三星来说，推迟发布并不明智，因为
该公司的顶级手机销量可能会输给该领域的强大挑战者
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美光的12纳米LPDDR5X RAM芯片将用于Galaxy S25旗舰系列。 |图片来源-Micron
除了取代自己成为 RAM 芯片的供应商之外银河S25系列中，三星并未在其上使用其 3nm Exynos 2500 应用处理器银河S25和
正如世界上大多数地区通常所做的那样。发生这种情况的原因是三星代工厂在 3nm 生产上的良率不可接受，这意味着三星无法按时生产旗舰产品线所需的 Exynos 2500 芯片数量。因此，到 2025 年，三星将配备所有银河S25系列型号配备功能强大但价格昂贵的 Snapdragon 8 Elite for Galaxy AP。三星预计将在夏季在 Galaxy Z Flip FE 上首次亮相 Exynos 2500。
从过热的 RAM 芯片到三星代工厂 3 纳米生产的低良率，三星搬起石头砸自己的脚，必须为自己的错误付出代价。最有可能的是，三星将被迫提高价格银河S25旗舰线。因此，银河S25买家可能会注意到他们的钱包有点轻了。