早在 2020 年，即美国商务部将华为列入实体名单、禁止该公司与其美国供应商开展业务一年后，又更进一步。新的出口规则旨在阻止华为从使用美国技术制造芯片的代工厂获得尖端芯片。再加上禁止荷兰公司 ASML 向中国代工厂出售其极紫外光刻 (EUV) 机器的制裁，阻碍了华为的发展。
这还不够糟糕被迫在其 P50、Mate 50 和 P60 旗舰手机上安装较旧的 Snapdragon SoC，这些芯片组还必须进行调整，以防止它们与 5G 配合使用。由于无法使用 EUV 机器，中国最大的代工厂中芯国际 (SMIC) 陷入了使用 7 纳米节点制造芯片的困境，但仍然当它为华为制造麒麟9000s应用处理器（AP）时。
5G Kirin 9000s AP由中芯国际使用其7nm节点打造
麒麟 9000 使用 7 纳米节点意味着中芯国际正在使用更大的晶体管，与竞争对手芯片相比，限制了麒麟 9000 的晶体管数量。当时，苹果使用的是 3nm A17 Pro（内置 190 亿个晶体管），几款 Android 旗舰机也采用了 4nmAP 或强大的 4nm Dimensity 9300。这两个芯片组的晶体管数量从未发布。
中国最大、全球第三大代工厂中芯国际正在为华为手机生产 5G 芯片。 |图片来源-中芯国际
随着 Mate 60 系列和 Kirin 9000 的发布，美国商务部撤销了向高通颁发的允许其向华为运送仅 4G 的 Snapdragon 芯片组的许可证，并计划对美国其他华为供应商实施额外制裁。美国商务部已确定超过 120 家中国公司可以被添加到实体清单中。可能会对芯片销售和芯片工具销售实施额外制裁。
作为全球唯一一家生产和销售极紫外光刻机的荷兰公司ASML，仍然向中国销售能力较差的深紫外光刻机。光刻机用于将电路图案蚀刻到构建芯片的硅晶圆上。 EUV 机器可以在硅晶圆上创建极细的线条，代工厂使用这些线条来帮助他们使用 5 纳米或更低工艺节点构建芯片。较旧的 DUV 机器可以帮助代工厂制造先进至 7 纳米的芯片。
去年夏天有多个传言称，中国的中芯国际（全球第三大晶圆代工厂）将能够以及一种称为多重印模的技术。后者多次蚀刻电路图案以创建更小、更复杂的特征。然而，如果多个印模没有完美对齐并且稍微偏离，结果将是生产出有缺陷的芯片，从而导致低产量。这最终会提高芯片的价格。相反，最新的传言称 Mate 70 系列将采用 7nm AP。如果中芯国际能以某种方式生产出 5 纳米 SoC，美国立法者将会感到高兴。
美国立法者主要担心的是中国有能力为其军事制造先进芯片
随着中国拼命努力实现半导体生产自给自足，美国也同样拼命阻止这种情况的发生。众议院中国特别委员会的民主党和共和党高层周三致函商务部长吉娜·雷蒙多。委员会主席、共和党人约翰·莫勒纳尔 (John Moolenaar) 和民主党高级成员拉贾·克里希纳莫蒂 (Raja Krishnamoorthi) 在信中写道：“我们必须继续努力，阻止华为和类似公司获得美国技术。 ”。
信中还表示，如果不阻止华为获得与半导体生产相关的美国技术，将会帮助美国少数芯片工具公司，“但代价是全球芯片制造商无法出售其芯片，从而破坏了华为的意图”。上市，损害我们的国家安全。”商务部发言人表示，已收到这封信，该机构将通过“适当渠道”做出回应。
尽管中国外交部发言人毛宁指责美国“过度延伸国家安全概念，设置障碍，破坏两国正常合作”，但美国的目的并不一定是要阻碍华为，尽管该公司一直在被认为对国家安全构成威胁。真正的目标是不让尖端芯片落入中国军方手中，
