在芯片代工厂开始使用 7 纳米以下工艺节点生产芯片之前，必须发明极紫外 (EUV) 光刻机。该机器在硅晶圆上蚀刻出比人的头发还细的电路图案，从而可以将数十亿个晶体管嵌入到单个芯片组中。例如，每个 A17 Pro 内部的应用处理器
模型搭载 190 亿个晶体管。
工艺节点越低，芯片使用的晶体管越小，这意味着晶体管数量可以更多。通常，晶体管数量越多，芯片的功能就越强大、能效就越强。世界上有一家公司，荷兰公司 ASML，生产 EUV 机器，并且一直在推广和销售下一代设备。这被称为高数值孔径 EUV 机器，由于数值孔径从 0.33 提高到 0.55，可以在晶圆上蚀刻更精确的图案，这些晶圆将用于生产使用 2 纳米及以下工艺节点的芯片。
台积电的路线图。 |图片来源-台积电
“你在这里看到的路线图几乎是一样的，实际上，我认为你在六个月前的[技术]研讨会上看到的技术路线图是相同的。我们有 N2、N2P，它们将于明年投入生产，后年，[他们]紧随其后的是 A16。”-Dan Kochpatcharin，台积电设计基础设施管理主管
此外，
台积电表示其1.6纳米节点有望于2026年开始量产2027年将开始使用高NA EUV机器来制造1.4nm芯片组。台积电的2nm节点（N2、N2P、N2X）和1.6nm节点将使用采用垂直放置的Gate-All-Around晶体管水平纳米片允许栅极覆盖通道的所有四个侧面。这减少了电流泄漏，提高了驱动电流，并提供更高的性能和更高的能效。
A16 使用背面供电网络 (BSPDN)，将为芯片供电的电线和连接从芯片正面移动到背面，从而提高性能效率。
