新的高数值孔径 EUV 机器仅由荷兰公司 ASML 制造，英特尔是第一家接收新机器的代工厂。它们的数值孔径（机器名称中 NA 的代表）从 0.33 增加到 0.55，从而可以在硅晶圆上打印更清晰的图像和更小的特征。这使得代工厂能够使用 3 纳米以下的工艺节点来构建芯片。
高数值孔径 EUV 光刻机将电路图案转移到硅晶圆所需的时间和金钱更少
较低的工艺节点通常使用较小的晶体管，这意味着可以将更多这些重要的“构建块”塞进集成电路的特定区域内。更高的晶体管密度使芯片更强大和/或更节能。新型高数值孔径机器在硅晶圆上打印设计所需的曝光次数更少，从而使英特尔能够节省时间和金钱。早期 EUV 机器需要进行 3 次曝光和大约 40 个处理步骤，而使用高数值孔径 EUV 机器只需一次曝光和个位数的处理步骤即可完成。
ASML 员工站在一个盒子前，里面装有一台未组装的高数值孔径 EUV 光刻机，该机器被运往英特尔。 |图片来源-ASML
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昨天，英特尔在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上表示，其购买的首批两台高NA机器已投入生产，这意味着它们将用于制造芯片的过程。英特尔表示，新机器的可靠性大约是原始 EUV 机器的两倍。据英特尔高级首席工程师 Steve Carson 介绍，他的公司已经使用校车大小的高数值孔径光刻机生产了 30,000 个晶圆（每个晶圆可以包含数千个芯片，具体取决于产量）。卡森说：“我们正在以稳定的速度生产晶圆，这对平台来说是一个巨大的福音。”
英特尔代工服务 (IFS) 寻求从台积电和三星代工手中夺回工艺领先地位。英特尔的 A18 节点将于今年下半年开始量产，与台积电和三星代工的 2nm 节点类似，这两个节点也将于 2025 年下半年开始量产。英特尔确实有一个短暂的机会窗口，因为它将是几个月来唯一一家使用背面供电 (BSPD) 功能（称为 Power Via）的代工厂。
在等待七年才使用 OG EUV 机器后，英特尔将工艺领先地位让给了台积电和三星代工
此功能将电源线移至芯片背面，从而更有效地向芯片晶体管输送电力，从而使它们能够以更高的速度运行。台积电计划在明年量产的第二代 2 纳米节点 (N2P) 中加入背面供电功能。
当英特尔花了七年时间才觉得自己可以依靠 EUV 光刻技术让台积电和三星超越它时，它就失去了工艺领先地位。此外，英特尔在制造 10 纳米芯片时遇到问题，部分原因是其依赖较旧的光刻设备。它迅速跳出来购买高数值孔径EUV机器的决定表明它不想再犯同样的错误。
高数值孔径 EUV 光刻机将用于帮助生产采用英特尔 18A 工艺节点的芯片。这将用于代号为 Panther Lake 的芯片，该芯片将专门用于笔记本电脑。当英特尔开始将新型光刻机用于其 14A 节点时，预计它们将得到大量使用。该节点尚未确定生产日期。
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