新的High-NA EUV機器僅由荷蘭公司ASML製造，英特爾是第一個鑄造新機器的鑄造廠。它們提供了數字孔徑的增加（這是NA在機器名稱中的代表），從.33從.33允許在矽晶片上打印出更清晰的圖像和較小的功能。這使鑄造廠可以使用3nm以下的過程節點構建芯片。
高NA EUV光刻機器需要更少的時間和金錢才能將電路模式轉移到矽晶片
較低的過程節點通常使用較小的晶體管，這意味著可以在集成電路的特定區域內將更多這些重要的“構建塊”放在。較高的晶體管密度使芯片更強大和/或能源效率。新的High-NA機器需要更少的曝光才能在矽晶片上打印設計，從而可以節省時間和金錢。較早的EUV機器的三個曝光和大約40個處理步驟可以使用僅使用一個曝光和一個數字的處理步驟來完成大約40個處理步驟。
ASML員工站在一個裝有一台未組裝的高NA EUV光刻機器的盒子前，然後將其運往英特爾。 |圖像信用率
英特爾昨天在加利福尼亞州聖何塞的一次會議上說，它購買的前兩台高NA機器正在生產中，這意味著它們被用於製造芯片的過程。英特爾說，新機器大約是原始EUV機器的兩倍。據英特爾高級首席工程師史蒂夫·卡森（Steve Carson）稱，他的公司使用校車尺寸的高NA光刻機器生產了30,000個晶圓（每個晶圓可根據產量，取決於成千上萬的芯片）。卡森說：“我們以一致的速度使晶圓掉了，這對平台來說是一個巨大的福音。”
Intel Foundry Services（IFS）尋求從TSMC和Samsung Foundry奪回流程領導。英特爾的A18節點將於今年下半年開始大規模生產，與TSMC和三星鑄造廠的2NM節點相似它將是唯一使用Backdide Power Delivery（BSPD）功能的鑄造廠，幾個月來。
在等待了七年的使用OG EUV機器之後，英特爾輸給了TSMC和三星鑄造廠的流程領導
此功能將電源接線移至芯片的背面，從而使芯片晶體管的功率更有效地傳遞，從而使它們能夠以更高的速度運行。 TSMC計劃在明年使用其第二代2NM節點（N2P）設置的批量生產。
英特爾（Intel）在公司花了七年的時間才覺得它可以依靠EUV光刻允許TSMC和三星超越該公司時，就失去了流程領導力。此外，英特爾由於依賴舊光刻設備的依賴而在10nm的部分建造芯片。它決定迅速購買高NA EUV機器的決定表明，它不想兩次犯同樣的錯誤。
高NA EUV光刻機將用於使用英特爾的18A過程節點來幫助生產芯片。這將用於代號為Panther Lake的芯片，該湖將用於筆記本計算機上。當英特爾開始將其用於14A節點時，新的光刻機有望進行大量鍛煉。該節點尚無計劃生產日期。