此前有报道称，华为新旗舰Mate 70系列的高端版本配备了中芯国际采用6纳米工艺节点打造的麒麟9100应用处理器（AP）。由于中国最大的代工厂（也是继台积电和三星代工厂之后的全球第三大代工厂）仅限于使用较旧的深紫外光刻 (DUV)，因此假设
晶圆代工厂将其芯片生产提升到一个新水平所需的硅晶圆。
但在半导体分析公司 TechInsights 对 Mate 70 Pro+ 进行拆解后，后者今天宣布，在华为高端旗舰中发现的 SoC 毕竟不是 6nm 麒麟 9100；它是7nm Kirin 9020。该芯片组与华为去年Mate 60 Pro上使用的7nm Kirin 9010 AP类似。所以事实是，中芯国际并没有为其2024年第二条旗舰线提供更先进的6nm或5nm芯片组。
TechInsights 确实表示，它发现 Kirin 9020 的电路平面图发生了变化，从而增强了新芯片的性能和效率。麒麟9020的芯片尺寸比麒麟9010大15%。
“Kirin 9020 处理器并不是重大的重新设计，而是对其前身 Kirin 9010 的渐进式改进。这种方法表明海思专注于改进现有设计，同时利用中芯国际在先进半导体制造方面的能力。”-TechInsights
TechInsight的发现表明，华为和中芯国际很难跟进去年令人震惊的推出Mate 60系列，该系列自2020年的Mate 40系列以来首次搭载支持5G的麒麟芯片。美国在2020年改变了出口规则，禁止使用美国设备生产芯片的代工厂向华为运送先进硅。
据 TechInsights 称，华为 Mate 70 Pro+ 搭载 7nm 麒麟 9020。 |图片来源-华为
高通获得了许可，允许这家总部位于圣地亚哥的芯片制造商向华为 P50、Mate 50 和 P60 旗舰系列提供 Snapdragon AP。高通公司获得了美国商务部的许可，因为它对芯片进行了调整，使其无法与 5G 无线电波一起使用。美国一直试图阻止中国军方掌握先进芯片，包括支持5G的芯片。
与此同时，美国和荷兰政府阻止中国公司获得代工厂生产 6 纳米及以下节点芯片组所需的极紫外光刻机。简而言之，较低的工艺节点通常意味着使用较小的晶体管。这使得芯片能够具有更高的晶体管数量（芯片内的晶体管数量）和更高的晶体管密度（封装到芯片特定区域中的晶体管数量）。芯片的晶体管数量越多，通常该芯片的功能越强大、效率越高。
