在特朗普政府推动Intel Foundry Services（IFS）的推动下，将更多的合同半导体制造带到美国，早期的迹象表明，英特尔的18A流程正在对TSMC的第一代2NM节点（称为N2）进行自身。这两个过程节点将在今年下半年进行大规模生产，而IFS则制造了编号为Panther Lake的笔记本处理器。
伊恩·卡特雷斯（Ian Cutress）博士的推文，他是摩尔（Moore）的首席分析师，他是与高级半导体公司协商的公司共同创立了英特尔并提出摩尔法律的男人的姓氏的好戏剧（这是一个很好的戏剧），表明该公司表明这表明英特尔的18A SRAM密度为38.1Mb/mm2是TSMC报告的相同数字。 SRAM密度是一个测量值，显示了在半导体芯片的给定区域中可以找到的SRAM记忆量。
SRAM（静态随机访问存储器）通常用于高速应用中，例如CPU CACHE（L1，L2，L3）。这些高速层存储了通常可以访问的数据，以便处理器不必等待较慢访问主DRAM（Dynamic random-Access内存）内存。较高的SRAM密度允许更大的缓存，这当然会提高性能。
英特尔和TSMC争夺流程领导力。 |图片信用X
TSMC的2NM进程启动了其全方位晶体管（GAA）代替FinFET的使用。这些晶体管使用水平纳米片垂直堆叠，允许门与所有四个侧的通道接触，从而减少电流泄漏并导致更快的速度和更高的驱动电流。 TSMC的第一代2NM节点的SRAM密度增加了12％，而高性能SRAM密度则增长了18％。
TSMC的HD SRAM密度增长了18％。 |图片信用 - x
英特尔通过功能的功能有助于它提高其18A过程的SRAM密度。该技术也称为BSPDN（背面动力传递），将动力输送网络（PDN）从硅晶片的顶部移动到底部。旧技术占据了太多的空间，限制了SRAM密度。
英特尔的背面动力传递称为Powa，通过其SRAM密度为18A。 |图片信用X
重要的是要注意，密度图可以根据单个SRAM存储单元的结构而变化。一旦我们以用于为新设备供电的实际组件的形式，我们将出现真正的烟花。
英特尔已经签署了亚马逊的AWS，该AWS有兴趣使用18A节点生产芯片，以便与其数据中心和AI技术一起使用。 Microsoft和Broadcom都有兴趣基于18A的设计。对TSMC的N2表现出兴趣的公司包括苹果，中级科，Nvidia，Qualcomm等相同的旧团伙，具有讽刺意味的是，英特尔。
