高通阻止一家主要代工厂生产 Galaxy S26 Ultra 的 AP

有人猜测台积电和三星代工厂将双重采购 2026 年的 Snapdragon 8 Gen 5（将被称为 Snapdragon 8 Elite 2）。一度，还有传言称三星代工厂将使用其新的 2 纳米工艺节点 (SF2) 来实现这一目标。

但是“X”上有一个用户名为 @Jukanlosreve 的泄密者表示在三星代工厂生产 Snapdragon 8 Elite 2 的计划已被取消。

过去几年，三星代工厂的产量低得可怜，导致其业务损失惨重

三星代工厂的2nm良率未知，也没有公开透露，这让我们猜测取消的原因可能与价格有关。第一批 2nm 芯片的制造成本将比 3nm 更高，这可能就是为什么 Galaxy S26 Ultra 将采用 3nm AP 的原因，而这正是三星代工厂的产量成为一个主要问题的原因。

泄密者称台积电将成为 Snapdragon 8 Elite 2 的唯一制造商。图片来源-X

代工厂的产量是用硅晶圆生产的功能芯片的数量除以晶圆可以生产的最大芯片数量。三星Foundry 3nm 芯片的良率为20%，这意味着三星Foundry 从一块可生产500 个芯片的晶圆上只能生产出100 个功能芯片。芯片设计者（在本例中为高通）将对劣质芯片承担经济责任。

台积电 3nm 的良率据说为 84%，这使得高通的决定不费吹灰之力，尽管三星代工的 3nm 节点包括环绕栅极 (GAA) 晶体管，这些晶体管在所有四个侧面围绕通道，减少了电流泄漏并提高了驱动电流。台积电的 GAA 晶体管在这家全球最大的代工厂开始交付自己的 2 纳米产品之前不会被使用。

骁龙8 Elite 2在Geekbench上的基准测试表明，其CPU性能将比骁龙8 Elite提升20%，单核分数达到4000，与联发科预计将于明年年底推出的竞争对手天玑9500 SoC相媲美。与上一代相比，骁龙 8 Elite 的 CPU 性能提升了 30%骁龙 8 第三代系统芯片。

三星代工的3nm良率不佳也将

预计将为明年的

和银河S25+ 在绝大多数市场。如果什么都没有改变的话

可能有整个银河S25系列将于明年一月推出，由 Snapdragon 8 Elite AP 提供支持。三星的另一个更便宜的可能性是使用联发科技强大的天玑 9400 SoC银河S25和银河S25+ 某些地区的型号。这个谣言最近被驳斥了。

三星上一次在其旗舰 Galaxy S 系列中仅使用一颗芯片是在 2023 年，当时该年的所有产品都使用了 Snapdragon 8 Gen 2 SoC。

单位。今年，Exynos 2400 为

和银河S24+ 除美国、加拿大和中国外的所有市场。在这些市场中，

AP 就在这些模型的引擎盖下。这

是由骁龙 8 第三代在所有地区。

台积电相对于三星代工的良率优势是三星如果想吸引3nm及以下工艺的新客户需要纠正的一个主要问题。