Galaxy S25 可能配备更快的存储以增强其 AI 能力

到目前为止,很明显,手机制造商将转向人工智能 (AI) 的力量来推动他们的更远的未来。然而,实现这一目标的一个主要要求是拥有能够促进人工智能功能的硬件。

第一个也是最关键的硬件当然是手机内的硅片(芯片组)。新的和 Snapdragon 7 Gen 3 属于新一代处理器,专为设备上的 AI 而设计。

但除了实现手机神奇功能的芯片之外,还有其他一些组件影响着这些神奇功能发生的速度。其中一个组件就是存储。

现在,你们中的一些人非常清楚这一点,其他人可能认为存储只是大小不同。然而,存储还有另一面,那就是速度。最新、最伟大的手机存储技术是由其本身,或者更准确地说是三星半导体,被称为 UFS 4.0。

UFS 代表通用闪存存储,4.0 版本的读写速度比上一代 UFS 3.1 快了大约两倍。现在,三星半导体在社交媒体平台上透露了其近期计划微信通过 SamMobile)。

路线图显示了一项名为 UFS 4.0 4 通道 CS 的升级,计划于 2025 年某个时候推出,并于 2024 年开始生产。三星解释说,UFS 4.0 4 通道内存结合了两个 UFS 控制器,以提高顺序读取速度,这可能就是“4 通道”部分的来源。

UFS 4.0 的下一代产品将能够达到 8GB/s 的速度,而目前的 UFS 4.0 存储速度为 4GB/s。三星表示,此次升级将有助于缩短加载时间和提高设备上的 AI 应用,而这正是整个 AI 推动力完美结合的地方。

地平线那边有什么?

除了 UFS 4.0 4 通道之外,三星计划在 2027 年推出下一个重大移动存储技术 UFS 5.0,据说其速度可达 10GB/s。如果逻辑正确,这意味着我们可能会看到 Galaxy S27 拥有更快的存储速度。

至于什么将成为首款采用 UFS 4.0 4 通道存储的产品,因此可以推测或许是值得期待的。鉴于三星计划今年开始生产,情况可能确实如此。